理_1668504500.png)
據(jù)轉(zhuǎn)換器_1668504554.png)
置_觸覺反饋_1708505730.png)
品_1668504627.png)
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動_1672903565.png)
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工具_1668506968.png)
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產(chǎn)品
產(chǎn)品概述 收藏
CS32G020Q
CS32G020Q是芯?？萍纪瞥龅能囈?guī)32位PD MCU，滿足AEC-Q100 Grade 2要求，它集成兩路獨立Type-C CC和USB PD控制器，Load Switch，USB BC1.2，支持主流手機快充協(xié)議，適用于車載充電器應(yīng)用；
Type-C 和 USB PD 支持
支持 USB PD3.0 協(xié)議，支持 PPS
CC 口可配置的 RP 和 RD
支持 2 路 Type-C 口，可以獨立進行PD通信
CC 口支持 21V 耐壓
內(nèi)置 2 個高壓（21V）控制口
支持快速角色交換（FRS）
CC 口可配置的 RP 和 RD
支持 2 路 Type-C 口，可以獨立進行PD通信
CC 口支持 21V 耐壓
內(nèi)置 2 個高壓（21V）控制口
支持快速角色交換（FRS）
其他協(xié)議
支持 QC4.0+、SCP、FCP、AFC 協(xié)議
支持 BC1.2、Apple 2.4A
支持 DP、DM 上的所有配置
支持 FCP、AFC 等多種快充協(xié)議輸入
支持 BC1.2、Apple 2.4A
支持 DP、DM 上的所有配置
支持 FCP、AFC 等多種快充協(xié)議輸入
外設(shè)
3 個 16-bit 定時器，8 位預(yù)分頻
1 組 UART
1 組 SPI
1 組 I2C（支持主從模式）
2 個模擬比較器
12 位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)
11 位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)
欠壓檢測(BOD)
1 組 UART
1 組 SPI
1 組 I2C（支持主從模式）
2 個模擬比較器
12 位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)
11 位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)
欠壓檢測(BOD)
32 位 MCU
內(nèi)核 ARM?Cortex?-M0 核，主頻最高48MHz
60K Flash 內(nèi)存用來存放應(yīng)用程序(APROM)
可配置的數(shù)據(jù) flash(Data Flash)
4KB 啟動代碼空間 (LDROM)
內(nèi)嵌 8KB SRAM
系統(tǒng)啟動區(qū)間可配置，可以從APROM，LDROM 或 SRAM 啟動
60K Flash 內(nèi)存用來存放應(yīng)用程序(APROM)
可配置的數(shù)據(jù) flash(Data Flash)
4KB 啟動代碼空間 (LDROM)
內(nèi)嵌 8KB SRAM
系統(tǒng)啟動區(qū)間可配置，可以從APROM，LDROM 或 SRAM 啟動
時鐘和晶振
24/8MHz 內(nèi)部 oscillator (HSI) (25℃, 5V,1% 誤差)
10 KHz 內(nèi)部低功耗 oscillator (LSI)
10 KHz 內(nèi)部低功耗 oscillator (LSI)
工作模式
Normal 模式 ，工作電流 10mA@5V，25℃
Sleep 模式，工作電流 2mA@5V，25℃
Deep-Sleep1 模式 ，工作電流100uA@5V，25℃
Deep-Sleep2 模式 ，工作電流12uA@5V，25℃
Deep Power-Down 模式，工作電流2.5uA@5V，25℃
Sleep 模式，工作電流 2mA@5V，25℃
Deep-Sleep1 模式 ，工作電流100uA@5V，25℃
Deep-Sleep2 模式 ，工作電流12uA@5V，25℃
Deep Power-Down 模式，工作電流2.5uA@5V，25℃
芯片安全性
對 Flash 存儲器提供多級保密策略
提供 CRC-32 計算單元，多項式為0x4C11DB7(與以太網(wǎng)標(biāo)準相同)
內(nèi)置 SRAM 支持奇偶校驗
提供 CRC-32 計算單元，多項式為0x4C11DB7(與以太網(wǎng)標(biāo)準相同)
內(nèi)置 SRAM 支持奇偶校驗
工作條件
工作溫度:-40℃~105℃
工作電壓:2.5V~5.5V
工作電壓:2.5V~5.5V
封裝
QFN32
應(yīng)用范圍
車載充電器
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